저희는 반도체 제품 개발 및 공정 Total Solution Service 업체입니다.
- Si Wafer 판매(6", 8", 12"), Metal 증착 가능
Design
1. Package Process Design
1) Bumping package process design
2) RDL process design
3) WLCSP design
4) FOWLP design
2. Test Wafer Design
1) COG PKG
2) COF PKG
3) PCB PKG
4) FPCB PKG
3. 기타 Design
UBM Process
1) Sputter
(1) Substrate Heating : Max 700 ℃(Heater 기준)
(2) Source : Ti, Cu, Al, W, Cr, Sn
(3) Uniformity : ±5%
(4) Base Pressure : Low 10 E-8 Torr
(5) DC Plsma
(6) Delivery : 1 주일 이내(협의후 조정 가능)
* 다른 Metal 종류 필요시 문의 바람
* RF 사용에 대한 것은 문의 바람
* Target Tickness 협의 바람
Photo Process
1) Photo Resist Coat
- Photo Resist 는 UV 노광 반응에 따라 Positive , Negative 로 크게 구분
(1) PR 계열
(2) Passivation 계열 - PI, PBO, BCB, 일부 PR 등
(3) 설비 사양
- Spin RPM : Up to 8000 rpm
- Acceleration Speed : 200 ~ 4000 rpm/s
- Step at each recipe (Max 200)
(4) 공정
- PR 종류 및 Target Thickness 등 자세한 공정 사항은 문의 바람
2) Mask Align(UV Exposure)
(1) Exposure Mode : Hard / Soft / Soft Vacuum / Vacuum Contact / Proximity Exposure mode
(2) Align Mode : TSA / BSA
(3) Align Accuracy : 0.5um
* Align 공정에 대한 세부 사항은 문의 바람
※ Mask 제작 지원
- 1 Chip 에 대한 Pattern 으로 Wafer 에 맞게 Mask 도면 작업 지원
- Photo 공정 이후 공정 진행에 필요한 사항에 대해 협의 (Plating 진행시 WEE 에 대한 고려한 Design)
- 도면 ~ 제작까지 지원가능
3) Photo Resist Develop
(1) 공정 순서
Develop 약품 -> DI Rinse -> N2 Dry or Air Dry
- Develop 약품은 Photo Resist 종류에 따라 변경 됨
* Develop 공정 사항은 문의 바람
Plating Process 진행 관련
1) Plating
(1) Plating 전처리 - Descum 이후 산세정
(2) Wafer Rotating Type
(3) Standard Plating Chemical : Cu, Ni, Au, SnAg 2.5
(4) Heater : 상온 ~ 60℃
(5) 설비 : 전해도금 방식의 Plating Machine
아래주소:
http://cafe.naver.com/adhesive/241419
